【48812】我自主研制芯片初次使用于特高压变电站二次设备

  7月13日，记者从国网经济技术研究院得悉，武汉1000千伏变电站日前完结二次设备挂网投标，这是第一次在特高压变电站使用自主可控芯片的二次设备。

  变电站二次及通讯设备芯片以往均依靠进口。2020年9月，国高压事业部安排国网经济技术研究院、我国电力科学研究院、中南电力规划院有限公司等单位建立专项工作组，以武汉1000千伏变电站为试点，对武汉站选用自主可控芯片的二次设备展开系列专题研究。

  “工作组逐渐确认试用准则和试用计划：关于操控维护设备，具有芯片自主可控条件的，本期均进行挂网试运行；对其他二次、通讯设备，已完结研制检测、可以很好的满意投运时刻要求的，均展开试用。现阶段，绝大多数选用自主可控芯片的二次设备均可经过专项测验为推进自主可控芯片设备在电网工程中的使用落地。”国网经研院规划中心副主任黄宝莹介绍说。

  国网经研院通自中心处长刘颖介绍说，武汉特高压变电站本期新建二次及通讯设备共25类，其间维护设备10类，自动化、直流电源及辅佐设备12类，通讯设备3类。经过充沛证明，10类维护设备本期悉数进行自主可控芯片试点，自动化、直流电源及辅佐设备中5类进行试点，通讯设备中1类进行试点，合计试点芯片设备16类，自主可控芯片试用率为64%。

  专家表明，特高压变电站，作为我国基建实力的代表，芯片的自主可控具有极端重大意义。

  一方面，武汉站自主可控芯片的使用，将带动电力设备制作业的晋级；另一方面，自主可控芯片的大规模工业化使用也将促进国内芯片职业的工业晋级，从使用—反应—晋级到再使用的重复迭代，将促进自主可控芯片制作、芯片使用、芯片优化等的立体晋级。（科技日报）